硬件学习之器件篇-磁珠

article/2025/7/29 18:32:53

1、什么是磁珠

磁珠(Ferrite Bead,简写FB)是一种电子被动元器件(passive component:在电路中有信号通过,就能完成规定功能,不需要外加激励电源。),是由铁氧体等磁性材料制成,具有高电阻率ρ(Resistivity:物质电阻特性,单位Ω·m)和磁导率μ(magnetic permeability:μ=B/H,其中H=磁场强度,B=磁感应强度,单位是H/m),Ferrite Bead单位是欧姆。

其在高频时阻抗很大,可抑制高频噪声和尖峰干扰,被广泛用于信号线和电源线上,用来解决辐射和干扰问题。

2、磁珠的参数

2.1 额定电流

磁珠额定电流:在正常工作条件下,磁珠能够持续安全通过的最大电流(与电感一样,也叫温升电流,一般指自我温升不超过20°C~40℃的电流,不同厂家标的温升温度不一样)。在选择磁珠时,应确保电路的最大电流低于磁珠的额定电流,以避免磁珠过热或磁饱和,通常考虑余量设计,最好预留多三分之一,多多益善(在电源上使用磁珠时,要考虑直流偏置特性,即余量要留得更多,如预留多三分之二)。

如果考虑线路上的通流量不够,不建议采用两个磁珠并联,由于磁珠模型的感抗和容抗的不同,使得电流不会平均从两个磁珠通过,即可选择更高规格的磁珠。

在信号线上使用磁珠,就不用考虑额定电流,而在电源上使用就需要考虑额定电流。

温升电流(额定电流)

2.2 直流导通电阻DCR

直流导通电阻DCR:指DC电流通过磁珠时,磁珠呈现的电阻值。用在电源上的磁珠,DCR是很关键的参数。例如,在核电压1V上使用了0.2R的磁珠,而该核电压峰值电流达到3A,那么磁珠的压降0.2x3=0.6V,电压值只有原来的十分之六了,肯定会导致电压异常,比如死机、重启、不开机之类。

一般磁珠的阻抗越大,其直流导通电阻DCR也大,则会导致过流能力小,即额定电流小。

标称阻抗与DCR成正比,与Ir成反比

2.3 标称阻抗Z(100MHz)

标称阻抗Z是指磁珠在100MHz下的阻抗值,包含实部和虚部,即Z=R+jX。一般磁珠规格书上的标称阻抗Z是在零直流偏置的条件下测试的。

另外,磁珠规格书的标称阻抗值是在温度85度下的测试值。随着温度的继续升高,磁珠阻抗值会降低,需要进一步考虑降额设计。

标称阻抗温度曲线

3、磁珠的阻抗曲线

3.1 阻抗-频率曲线

如下图所示,磁珠的阻抗-频率曲线包含 Z, R, X(横轴表示频率,纵轴表示阻抗)。Z 表示总的阻抗,R 表示电阻, X 表示感抗。

磁珠建模模型是由电阻、电感和电容组成,如下图所示:

RDC :磁珠的直流导通电阻DCR,

CPAR:表示寄生电容,随频率变化

LBEAD :表示磁珠电感,随频率变化

RAC :与磁珠有关的交流电阻(交流磁芯损耗),随频率变化

磁珠阻抗-频率曲线

由阻抗-频率曲线可知,磁珠会有三种响应区域:

当X>R时,磁珠呈现感性

当X=R时,磁珠开始呈现阻性

当R=-X时,磁珠开始呈现容性

(通常的磁珠规格书上,负的X值没有在阻抗-频率曲线上显示)

在磁珠呈感性时,感抗X大于电阻R,磁珠呈现感性,可以把磁珠理解为是一个低损耗、高Q特性的电感,与寄生电容组成LC低通滤波器。在线路设计过程中,要注意防止呈感性的磁珠与电容谐振,出现过充或振铃现象,使得干扰增强。

例如,根据谐振频率计算f=1/(2Π*Sqrt(LC)),如果在电源线路上的磁珠后面放置的是nF级电容,很容易产生谐振,如跟电源开关频率或干扰频率接近,那么导致噪声就会变大。如果把电容加大到uF级别,其谐振频率降得很低。即,磁珠后面最好放置一颗uF级电容(在电源线路上),而信号线上没有放置大电容时,要注意磁珠参数导致的谐振。

另外,电源上串的磁珠后面都要加电容,因此磁珠有感性,会阻碍电流的变化,没有电容的话,会导致电流续不上,电压跌落。

在磁珠呈阻性时,电阻R大于感抗X,在电磁干扰EMI使用时,滤除的辐射或干扰频率要在阻性区内,其可有效地吸收并转换成热能的形式耗散掉,即使得磁珠是吸收噪声而不是反射噪声。阻性区域出现在磁珠交越频率 (X = R) 之后,直至磁珠变为容性(容性电抗-X 绝对值等于 R 的频率处)的那一点为止。

在磁珠呈容性时,负的容抗值-X(绝对值)大于R电阻值,线路设计上要滤除的高频干扰频率不能在磁珠呈容性段。因为磁珠呈容性时,高频信号就直接流过磁珠,起不到滤除高频干扰信号的作用。

3.2 阻抗的实部和虚部

磁珠的阻抗为什么要有实部和虚部?

数学上的复平面z=a+bi,横轴表示实轴,纵轴表示虚轴。复平面上的三个点就是(a,bi)、(a,0)、(0,bi)。而z的模就是a平方加上b平方的根号,这样复数z就既有长度又有角度。

物理上的感抗公式:XL=ωL=2πfL,容抗公式:Xc=1/(2πfC)。在复平面上,感抗是逆时针旋转了90°,容抗来说是顺时针旋转90°。

电阻器是耗能元件,是阻抗的实数部分(电阻);电容器和电感器是储能元件,是阻抗的虚数部分(电抗),即磁珠标称阻抗Z=R+jX。

用复平面的复数很好地来表示物理电路上的电阻、感抗、容抗。

复数平面

3.3 直流偏置特性曲线

磁珠用作电源滤波时,流过磁珠的电流不为零,有直流偏置电流。而直流偏置电流会影响磁芯材料。随着直流偏置电流的增加,磁芯材料会趋向饱和,使得磁珠电感下降,则影响了磁珠的阻抗-频率曲线。电源线路上的电流值为额定电流50%时,阻抗值下降了90%。额定电流在20%时,阻抗值下降约30%。因此,从设计原则来说,应在额定电流20%处使用铁氧体磁珠,切记。

在直流偏置下的阻抗-频率曲线

4、磁珠和电感区别

4.1 电感滤波

法拉第电磁感应原理是电磁学中的一个基本定律,当穿过闭合电路的磁通量发生变化时,会在电路中产生感应电动势的现象。电感的工作原理就是基于法拉第电磁感应定律。当电流通过电感时,线圈中的磁场会发生变化,从而在电感中产生感应电动势。这个感应电动势会阻止电流的变化,并产生一个相反的电流,以保持电流的恒定。因此,电感可以有效地抑制低频噪声和干扰。

电感的滤波原理是把电能转换为磁能,而磁能会通过以下两种方式影响电路:一种方式是重新转换为电能,变现为噪声。一种方式是向外辐射,表现为电磁干扰EMI。即LC低频滤波器,是将干扰噪声进行反射,不能泄放到地平面上。因此,电感主要用在线路上解决传导噪声问题。

另,电感和电容组成的低通滤波器时,由于电感和电容都是储能器件,可能产生自激。

在电路设计中,电感主要有三大类应用:

功率电感:用于DCDC上的电压转换,通过积累并释放能量来保持连续的电流。

去耦电感:通常是共模电感或差模电感,用于滤除电源线或信号线上的噪声。

高频电感:用于射频电路,实现偏置、匹配、滤波等电路。

4.2 磁珠滤波

磁珠是将电能转换为热能(磁珠呈阻性频带内),不会对电路构成二次干扰,主要用在EMI及电源高频滤波上,像一些RF电路,PLL,震荡电路,含超高频存储器电路。

5、磁珠的分类及选型

5.1 磁珠分类

在磁珠厂家的官网上都有不同的分类和选型目录,例如:

1、顺络:叠层磁珠一般用(低速信号线用,高速信号线用,电源线用,高频噪声抑制用,音频磁珠);绕线磁珠(高频噪声抑制用);叠层磁珠车载用(低速信号线用,高速信号线用,电源线用)

2、麦捷微:通用磁珠和大电流磁珠;

3、风华高科:叠层片式铁氧体高频磁珠 (CBF)

叠层片式铁氧体音频磁珠(CBE)

叠层片式铁氧体超大电流磁珠(CBU)

叠层片式铁氧体超大电流磁珠(CBM)

叠层片式铁氧体大电流磁珠(CBW)

叠层片式铁氧体磁珠(CBG)

车规叠层片式铁氧体超大电流磁珠

车规叠层片式铁氧体大电流磁珠

4、TDK:一般等级信号线用(一般,150°,低直流电阻,高频噪声抑制,超高频噪声抑制);

一般等级电源线用(一般,150°,低直流电阻,高频噪声抑制,超高频噪声抑制);

车规等级信号线用(一般,150°,低直流电阻,高频噪声抑制,超高频噪声抑制);

车规等级电源线用(一般,150°,低直流电阻,高频噪声抑制,超高频噪声抑制)

即:

从工艺上看有叠层磁珠和绕线磁珠之分;

从产品应用上看有一般等级和车规等级之分;

从电路使用上看有信号线用和电源线用之分,再着有普通、高频、超高频、低直流电阻之分。

所谓普通磁珠和高频磁珠,可参考如下阻抗-频率曲线,高频磁珠在1000MHz的阻抗值会比较高。

普通磁珠和高频磁珠

5.2 磁珠的选型

5.2.1 信号线上使用

1、干扰噪声的频率或频段,要在磁珠的阻性区,而不是感性区或容性区。

2、考虑有用信号在磁珠阻抗-频率曲线上的阻抗值Z,过大的话,会导致有用信号幅度过低。

3、辐射上滤波某个频点的话,可选用尖峰型的磁珠。

5.2.2 电源线上使用

1、要考虑线路上的工作电流值,直流偏置下的阻抗-频率曲线有变化,额定电流50%时,阻抗值下降了90%。

磁珠是通过阻性的发热来消耗干扰噪声的,如长时间在强干扰下,磁珠有可能过热烧毁。

2、要考虑线路上的峰值电流和磁珠的DCR值,过大的峰值电流和磁珠DCR,会导致磁珠上的压降过大,导致电压跌落。

3、尽量选在电源上使用的磁珠,其电流大、阻抗-频率曲线比较平缓。

4、电源线上使用磁珠,需要增加去耦电容。(磁珠的感性区会抑制线路上的电流)

5.2.3 选型例子

例子1:某产品某IC上的电源3.3V使用磁珠隔离,额定电流200mA,某IC的最低电源不低于3.0V。

1、额定电流大于300以上,至少1/3降额以上。

2、DCR值:3.3V-3.0V=0.3V,0.3V/200mA=1.5欧姆,1/2降额计算,取DCR<0.75欧姆的。

3、根据实际需求,选阻抗大的,曲线平缓的。

例子2:实际电路的工作电流1A,采用1.5A的磁珠,符合正常要求。但是,在上电瞬间流过该磁珠的电流有3A,那就可能出现过热或磁饱和,在磁珠上产生很大压降,导致后面电路异常,甚至磁珠烧毁。

1、在电源线路上使用,要考虑DCR的值,避免压降过大,也要考虑线路峰值电流是否会超过磁珠的额定电流。

2、考虑直流偏置引起的磁珠阻抗降低,尽量选用电源型的磁珠(随着偏置电流的增大,磁性材料会出现饱和的特性,导致L降低,从而导致工作区域的偏移,会影响到干扰噪声的抑制效果)

例子3:在辐射摸底测试时,网口PHY的25MHz时钟倍频出现辐射超标,频率是125MHz,250MHz等。在25MHz信号线上串磁珠。

1、磁珠的阻性区在125MHz左右(125MHz不要处于磁珠的感性区和容性区)

2、25MHz是有用信号,磁珠的低频阻抗尽量低。

3、要实际测试有用信号经过磁珠的信号幅度及波形,磁珠上的感性和寄生电容会发生谐振的,导致幅度或波形异常。(过冲或幅度偏低)

4、配合对地电容,测试效果比较好。磁珠和电容容值要计算适合,最重要实际测试波形。

6、磁珠的用例

例子1:简单地说,就是有个数字模块的地与主系统的地通过磁珠连接。在测试ESD时,设备就复位重启。拆掉磁珠,直接短接,测试ESD pass。

静电重在疏而不是堵。

例子2:某款蓝牙音箱,对外露的USB端口进行接触放电,音箱断电断电无法进行工作。因为USB的金属外壳是与系统地直接连接的,把系统地完整性弄好和电源加TVS管,有改善但没解决。因此,直接在USB金属壳与系统地直接串了磁珠,静电测试通过。

这个案子是直接采用堵的方法。由于板子的layout和结构不一样,采用疏或堵要具体考虑。

例子3:某工业产品的售后机器上,经分析串在电源输入上的磁珠烧毁。产品的电电源是24V 0.3A,选的磁珠是1A的,单从规格降额上看没有问题。在现场测试电源端口的信号,有幅值很高的连续脉冲干扰。

该磁珠长时间处于高幅值干扰下,会发热,散热不好的话,磁珠会不断升温,导致烧毁。

该磁珠主要用来滤除高频干扰,解决方法是把磁珠改为共模电感(电源和地接法)。

例子4:某控制系统产品在现场测试遇到干扰死机。采用模拟干扰信号的方法来分析,用电压脉冲模拟干扰信号,直接加在温度探头上,会一定概率导致死机,把温度采集模块的模拟地与数字地之间的磁珠换成0R电阻,不会出现死机现象。

由于磁珠的感性,加上脉冲时相当于储能,撤掉脉冲时,会产生反向电动势,导致数字地太高,因此使得系统死机。

数字地和模拟地之间尽量不采用磁珠隔离。

有个帖子:进入同一个单片机的不同地线之间不得有磁珠或电感。原因很简单,高幅度的高频噪声可造成地平面间有较高幅值的高频交流电,单片机内部压差很可能超过极限,在高可靠性产品(军用以及航空)中是非常危险的。

7、磁珠的失效

磁珠失效分析主要是机械应力和热应力:

1、外力或机械应力会导致磁珠一体化Crack或破损,导致开路。

2、过流会直接导致磁珠烧毁开路。

3、磁珠一致性不好,参数达不到规格要求,导致过流或过热后烧毁。

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