source：瀚海嘉兴国际创新中心

从产能来看，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目规划建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套，赛达半导体SiC外延项目2027年规划产能为30万片/年，普兴电子6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目将实现年产24万片SiC外延片，东尼电子扩建SiC项目将年产20万片SiC衬底，江西罡丰第三代半导体衬底外延建设项目（一期）将年产40万片SiC衬底，这些项目在产能方面成为佼佼者。

从内容来看，这些新落地项目覆盖SiC产业链大部分环节，部分新项目聚焦衬底/外延环节，这是SiC功率器件生产的关键环节，也是能够快速有效实现降本增效的部分，包括天睿半导体项目、百豪新材料大尺寸SiC单晶衬底产业化项目等。

其中，天睿半导体项目将新建8英寸SiC和GaN晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。

部分新项目致力于生产SiC功率器件/模块，包括臻驱半导体SiC功率模块项目、扬杰科技SiC模块封装项目、爱矽科技车规级SiC模块封装产品项目等。其中，扬杰科技是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商。

这些新项目当中，连城数控第三代半导体设备研发制造项目是少有的SiC设备相关项目。该项目拟投资不超过10.5亿元，规划建设SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。

source：连城数控

在SiC设备方面，连城数控于2020年底开始对SiC晶体生长炉进行研发立项，2021年9月开始对SiC等超硬材料多线切割机研发立项。2023年上半年，连城数控取得了多项技术研发成果，如创新推出单晶炉设备“一键拉晶”系统、液相法SiC长晶炉顺利下线并取得客户数台订单、SiC立式感应合成炉科研成果通过专家团鉴定等。

02

巨头云集，项目建设热火朝天

2024年以来，已开工、正在积极建设中的项目同样数量众多、各具特色。其中，三责新材南通二期高精度高纯度半导体设备用SiC部件项目于3月15日开工，作为九峰山实验室重大配套工程的武汉新城化合物半导体孵化加速及制造基地项目则于5月6日开工。

source：三责新材

同时，江苏诚盛科技——麒思大功率器件项目、湖南三安半导体基地项目二期、重庆三安半导体SiC衬底项目、天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目、天科合达SiC项目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等项目建设取得新进展。

其中，湖南三安半导体基地二期工程在今年1月已进入厂房装修后期阶段，总投资为80亿元，全面达产后将实现50万片6英寸SiC衬底的年产能；2月初，重庆三安半导体SiC衬底项目B1栋封顶，规划总投资70亿元，规划年产能为8英寸SiC衬底48万片；作为今年以来少有的传出新进展的国际厂商项目，耗资50亿美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封顶。

这些正在积极推进的项目，大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面，天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目投资额达80亿元，建成后用于生产6英寸/8英寸SiC外延片，总产能达150万片/年，第一期预计在今年4月开始投产。基于此项目，天域半导体有望成为国内较早实现8英寸量产的企业之一。

器件方面，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产。该项目总投资预计200亿元，一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

2024年内，江苏诚盛科技——麒思大功率器件项目、嘉兴斯达SiC芯片研发及产业化项目、天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目、天科合达SiC项目二期等有望竣工投产，为SiC材料及器件领域发展注入新动力。

03

产能可观，多个项目进入量产前夜

在2023年的紧张建设后，部分项目在2024年迎来了验收或投产的高光时刻，包括重投天科第三代半导体SiC材料生产基地、同光股份SiC衬底和粉体项目、斯科车规级SiC芯片模组项目、智新科技SiC模块项目二期等。

其中，重投天科第三代半导体SiC材料生产基地于2月27日正式启用。该项目总投资32.7亿元，重点布局6英寸SiC单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片。

今年3月，同光股份旗下的SiC衬底项目和粉体项目均顺利通过验收。该项目自2017年启动规划，历时七年，于2024年3月顺利完成验收，意味着该项目全面投入生产已无障碍。

与此同时，斯科车规级SiC芯片模组项目正处于试生产阶段，该项目达产后，将形成年产240万套SiC半桥模块的生产能力。在SiC产品加速上车趋势下，该项目有望成为斯科半导体业绩增长新引擎。

04

总结

SiC材料的供应紧缺问题是过去几年中限制SiC市场发展的主要因素之一，国内外SiC相关厂商顺势开启了汹涌的扩产潮，并延续到了2024年，赛达半导体、普兴电子、东尼电子、罡丰科技等厂商围绕衬底外延材料，纷纷开启了年产能达数十万片的大项目，将有助于缓解材料供不应求的现状。

而在大手笔的产能扩张背后亦蕴藏着价格下跌和产能过剩风险，正在或计划扩产的厂商们必须重视相关潜在风险并积极调整应对。在此情况下，在SiC衬底外延材料市场供应趋于稳定后，相关厂商将更多注意力转移到器件、设备和终端应用等方面，一定程度上将是更加明智的选择，更有利于提升竞争力。

2024年以来，晶能微电子、臻驱半导体、扬杰科技、摩珂达、爱矽科技新签约SiC功率器件/模块项目，连城数控则新签约SiC设备项目，都有望在对应的细分赛道分一杯羹。

车用场景目前仍然是SiC最大应用市场，围绕车规级SiC产品，扬杰科技、泰科天润、斯科半导体、智新科技、重庆三安等企业相关项目均取得了积极进展，有望加快车规级SiC产品国产替代进程。

2024年取得新进展的项目当中，部分为在已有项目基础上进行的扩建，也有部分项目主体在2024年首次规划SiC相关项目，彰显了SiC产业是一片投资兴业的热土，未来大概率将有更多厂商投建项目，也将有更多项目落地实施。

整体来看，SiC产业目前是一个快速成长的市场，各大厂商都意识到了规模的重要性，围绕SiC全产业链开启了宏伟的增资扩产计划，可以预见，未来随着市场规模不断扩大，SiC产业的竞争将日益激烈。

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