无论是手机还是电脑CPU，都非常讲究一个纳米制程参数，因为它直接关系到性能与价格。在过去几年固态硬盘中的闪存也是有纳米制程标注的，为何现在只说3D闪存不再提具体纳米数值了呢？
进入3D时代之后，闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠，相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存（32层堆叠）问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺，单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。
一方面，采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升，另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能，所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度，不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D闪存（32层堆叠）使用的也是40nm工艺，第二代64层堆叠产品才降至20nm。
东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。
BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone 7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。
BiCS2 3D闪存内部结构：
最新一代的BiCS3，也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍，达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕，TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒，容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一，稳定耐用价格实惠。
东芝BiCS3闪存的内部结构图，电子显微镜扫描：
相比NAND闪存，原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少，当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断，内存价格始终居高不下，也迟迟没有迈向3D化的动作。
其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出，基本原理与3D闪存类似，只不过推进3D化会增加短时内研发成本，而现在高度垄断之下躺着就能赚钱，又怎会积极推动技术跨越呢？
近期内存、固态硬盘价格都有所回落，但从降幅来说，现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析，近几个月将是闪存价格本年度内的低谷，也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车，大家看着办咯。
